特許
J-GLOBAL ID：200903047489200998
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301440
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110690
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 最適な深さ方向の組成プロファイルを持つSi/SiGeヘテロバイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 n型Si半導体基板上に、n型不純物を添加した第1のSi<SB>1-</SB><SB>X</SB>Ge<SB>X</SB>層(ここでXは、0<X<1)と、p型不純物を添加した第2のSi<SB>1-</SB><SB>X</SB>Gex層と、n型不純物をp型不純物より高濃度に添加したSi層とを形成し、第1のSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>層をコレクタ領域、第2のSi<SB>1-X</SB>Gex層をベース領域、およびSi層をエミッタ領域とするヘテロバイポーラトランジスタを形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型Si半導体基板層と、前記第1導電型Si半導体基板上にあり、第1導電型不純物が添加された第1のSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>層(ここでxは、0<x<1)と、前記第1のSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>層上にあり、第2導電型不純物が添加された第2のSi<SB>1-X</SB>Gex層(ここでxは、0<x<1)と、前記第2のSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>層上にあり、第1導電型不純物が第2導電型不純物より高濃度に添加されたSi層とを有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
5F003AP00
, 5F003AP06
, 5F003BA96
, 5F003BB00
, 5F003BB01
, 5F003BB04
, 5F003BB07
, 5F003BC01
, 5F003BC04
, 5F003BC08
, 5F003BE07
, 5F003BF06
, 5F003BM01
, 5F003BP31
, 5F003BP33
, 5F003BP34
, 5F003BP94
