特許
J-GLOBAL ID:200903047493403356
半導体集積回路装置の製造方法、ならびに半導体ウエハおよびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-299934
公開番号(公開出願番号):特開2000-124144
出願日: 1998年10月21日
公開日(公表日): 2000年04月28日
要約:
【要約】【課題】 高信頼度の半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 エピタキシャル成長炉に設置され、CZウエハの周辺全周または周辺の一部を保持するボートにCZウエハ(不純物濃度=約5×1018atoms/cm3 )1を置いて、CZウエハ1にプレヒートを施すことによって、CZウエハ1の表面および裏面近傍から不純物を外方拡散させた後、エピタキシャル成長炉内のガスを排気し、次いでエピタキシャル成長炉へ反応ガスを導入して、上記プレヒートの温度よりも50〜100°C程度低い温度で、CZウエハ1の両面にエピタキシャル層(不純物濃度=約1. 4×1015atoms/cm3 )2aおよび半導体層2bを成長させて、エピタキシャルウエハ2EWを形成する。
請求項(抜粋):
(a).所定の導電型の不純物を有し、互いに対向して第1主面および第2主面を備えた半導体基体に熱処理を施すことにより、前記半導体基体の表面の不純物濃度を前記半導体基体の内部の不純物濃度よりも低下させる工程と、前記半導体基体の少なくとも前記第1主面に、前記熱処理の温度よりも低い温度のエピタキシャル成長によって前記半導体基体の内部の不純物濃度よりも低濃度で前記所定の導電型の不純物と同一導電型の半導体層を形成する工程とを経たエピタキシャル半導体基体を準備する段階と、(b).前記エピタキシャル半導体基体の前記半導体層に、所定の不純物を選択的に導入することにより、素子形成のための半導体領域を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (15件):
H01L 21/223
, H01L 21/762
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 21/8244
, H01L 27/11
, H01L 27/115
, H01L 29/78
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/205
, H01L 21/208
FI (10件):
H01L 21/223 A
, H01L 21/205
, H01L 21/208 P
, H01L 21/76 D
, H01L 27/08 321 B
, H01L 27/10 321
, H01L 27/10 381
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 301 Q
, H01L 29/78 371
Fターム (95件):
5F001AA25
, 5F001AB08
, 5F001AD12
, 5F001AD41
, 5F001AD53
, 5F001AD62
, 5F001AF06
, 5F001AF07
, 5F001AG40
, 5F032AA13
, 5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA77
, 5F032AA78
, 5F032CA17
, 5F032CA23
, 5F032DA02
, 5F032DA22
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F040DA06
, 5F040DA27
, 5F040DB03
, 5F040DC01
, 5F040EA08
, 5F040EA09
, 5F040EC01
, 5F040EC02
, 5F040EC07
, 5F040EC13
, 5F040EF02
, 5F040EK05
, 5F040FC05
, 5F040FC07
, 5F040FC10
, 5F045AB02
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AF03
, 5F045AF16
, 5F045BB08
, 5F045CA05
, 5F048AA03
, 5F048AA06
, 5F048AA07
, 5F048AA09
, 5F048AB01
, 5F048AC03
, 5F048BA02
, 5F048BA04
, 5F048BA06
, 5F048BB05
, 5F048BB08
, 5F048BB09
, 5F048BC06
, 5F048BE03
, 5F048BF02
, 5F048BG01
, 5F048BG14
, 5F053AA12
, 5F053DD01
, 5F053GG01
, 5F053JJ01
, 5F053KK10
, 5F053PP03
, 5F053PP12
, 5F053RR04
, 5F053RR13
, 5F083AD21
, 5F083BS01
, 5F083BS13
, 5F083BS29
, 5F083BS40
, 5F083EP02
, 5F083EP23
, 5F083EP79
, 5F083ER22
, 5F083GA11
, 5F083GA21
, 5F083GA23
, 5F083GA24
, 5F083GA28
, 5F083GA30
, 5F083HA07
, 5F083JA35
, 5F083JA39
, 5F083JA53
, 5F083NA02
, 5F083PR25
, 5F083PR36
, 5F083ZA01
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