特許
J-GLOBAL ID：200903047497172880
半導体装置の製造方法とリード集積体
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-182918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031885
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 四辺に電極を有するICチップをシングルポイント法によりリ-ド集積体、例えばリードフレーム或いはリードフィルムキャリアにシングルポイント法によりボンディングする半導体装置の製造におけるシングルポイント法による不良の発生率の低減を図り、ボンディングの信頼性を高める。【構成】 超音波振動方向が常にボンディングされるリード先端部4に対して平行乃至45°以内の角度を成すようにボンディングする。そして、例えば、リードフィルムキャリアとして、各ICチップ7が上記リード群6、6、・・・配設方向に対してその各辺が略45度を成す向きで取り付けられるようにされ、各リード3の先端部4の向きが上記リード群配設方向に対して例えば略直角になるようにされたものを、用いる。
請求項（抜粋）：
ICチップ一個分のリードを配設したリード群を複数配設したリード集積体の各リードの内側の先端部にICチップの電極をシングルポイント法により順次ボンディングする半導体装置の製造方法において、超音波振動方向が常にボンディングされるリード先端部に対して平行乃至45°以内の角度を成すようにボンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方法
IPC (3件)：
H01L 21/607
, H01L 21/60 311
, H01L 23/50
