半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138456
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008349
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の蓄積電極等のパターンを形成する際に、コンタクトホールと蓄積電極等のパターンの位置ずれに起因する欠陥等の発生を防止する。【構成】半導体基板側のソース・ドレイン15の上にTEOS酸化膜16及び第1ポリシリコン膜17を順次堆積し、共通のマスクを用いて各膜の外形パターンとコンタクトホール20とをパターニングして、蓄積電極18とコンタクトホール20とを形成する。その後、コンタクトホール20内に、第2ポリシリコン膜で構成され蓄積電極18とソース・ドレイン15とを導通させる第1サイドウォール21を形成する。同時に、蓄積電極18の外周部に第2サイドウォールを形成し、その後、容量絶縁膜23及びセルプレート24を形成する。同じマスクを用いて蓄積電極18の外形パターンとコンタクトホール20とを形成することで、マスクの位置ずれに起因する両者のパターンのずれをなくし、欠陥の発生を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板側に設けられた導電部の上に絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜上に第1導電膜を堆積する工程と、共通のマスクを用いて上記第1導電膜と上記絶縁膜とを選択的に除去し、上記第1導電膜及び絶縁膜の一部が残存するとともにこの残存部内に上記第1導電膜及び絶縁膜を貫通して下方の導電部に達するコンタクトホールが形成されるようにパターニングする工程と、上記コンタクトホールの側壁に、第2導電膜で構成され上記導電部と上記第1導電膜とを導通させるサイドウォールを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/10 325 C , H01L 21/90 D

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