特許

J-GLOBAL ID：200903047503926328

メモリ装置とその製造、及び連続メモリのシミュレート法

発明者： ダンカン・バリー・ホヂソン ,  マイケル・ジョージ・ラフトン ,  リー・ウエイト
出願人/特許権者： ルーカス・インダストリーズ・パブリック・リミテッド・カンパニー
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-291934
公開番号（公開出願番号）：特開平7-262096
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 完全に機能するメモリブロックと部分的に機能するメモリブロックとを組み合わせて完全に機能するメモリをシミュレートし、以て歩留りを改善すること。【構成】 メモリ装置(1)は、共通の基板(30)内に形成された複数のメモリブロック(4、6、8、10)と、メモリマネージャ(2)とを備えている。メモリマネージャ(2)は、メモリブロックをテストしてメモリの作動ページを識別し、別のメモリ(46)内に作動ページのアドレスを格納する。この場合、作動ページへのアクセスは、メモリの連続領域をシミュレートするように、メモリマネージャ(2)により制御される。

請求項（抜粋）：

複数のメモリブロック(4、6、8、10)を有するメモリ装置であって、メモリマネージャ(2)を備え、前記メモリマネージャが、前記メモリブロック(4、6、8、10)をテストしてメモリブロック(4、6、8、10)内のメモリの作動ページを識別し、別のメモリ(46)内に前記作動ページのアドレスを格納し、前記別のメモリ(46)内に格納されたアドレスに応じて作動ページへのアクセスを制御することにより、メモリの連続領域をシミュレートする、ように構成されたことを特徴とするメモリ装置。