特許
J-GLOBAL ID：200903047504302255
プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-160130
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326459
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 ECRを利用したプラズマエッチング中に被処理基板4上に生ずる電荷の偏りを解消し、上記被処理基板4の、微細パターン間の領域にも基板4に対し垂直に反応性イオンを入射させることができ、これにより異方性の高いエッチング処理を実現する。【構成】 被処理基板4を異方性プラズマエッチングするための反応性ガスとして、導電性元素とハロゲン族元素とからなるハロゲンガスを含むエッチングガス11aを用い、上記異方性エッチング中に被処理基板表面にタングステンあるいはその化合物からなる導電性デポジション膜41が形成されるようにした。
請求項（抜粋）：
反応性ガスを電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ状態にして被処理基板上に導入し、上記反応性ガスのイオンにより上記被処理基板表面を異方性エッチングする方法において、上記反応性ガスとして、導電性元素とハロゲン族元素とからなるハロゲンガスを含むエッチングガスを用い、上記異方性エッチング中に被処理基板表面に上記導電性元素あるいはその化合物からなる導電性デポジション膜が形成されるようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23C 14/40
, C23F 4/00
