特許

J-GLOBAL ID：200903047509346480

チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法

発明者： 樋口 俊郎 ,  黒澤 実 ,  森田 剛
出願人/特許権者： 財団法人神奈川科学技術アカデミー
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-029314
公開番号（公開出願番号）：特開平10-226570
出願日： 1997年02月13日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 単一プロセス反応によって成膜された薄膜をPZT単一構造とすることにより、圧電効果の向上を図ることができるとともに、単一構造にすることによって、薄膜の定量的な評価を行うことができるチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法において、チタン、ジルコン、鉛イオンを含むアルカリ水溶液とチタン基板とを140°C程度で反応させ、単一プロセス水熱合成法により、基板表面にPZT薄膜を成膜させるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法において、チタン、ジルコン、鉛イオンを含むアルカリ水溶液とチタン基板とを140°C程度で反応させ、単一プロセス水熱合成法により、基板表面にPZT薄膜を成膜させることを特徴とするチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C04B 35/49 ,  C01G 23/00 ,  C30B 7/10 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

C04B 35/49 ,  C01G 23/00 C ,  C30B 7/10 ,  H01L 41/22 A