特許

J-GLOBAL ID：200903047512250531

半導体レーザ装置

発明者： 伊地知 哲朗 ,  二ノ宮 隆夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336562
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202310
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 0.9〜1.1μmの波長範囲で安定に基本横モード発振が得られる半導体レーザを提供する。【構成】 クラッド層の電流注入領域の両側にに活性層のバンドギャップエネルギーと同一か、それより低いバンドギャップエネルギーを有する圧縮歪が加えられたInGaAs井戸層とInGaP障壁層が交互に積層されて構成されている歪多重量子井戸吸収層を設ける。【効果】 歪多重量子井戸吸収層が、高次横モードに対して有効な吸収層として作用するため、基本横モード発振し易くなる。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に少なくとも一対のクラッド層および上記一対のクラッド層に挟まれた活性層を有する半導体レーザ装置において、上記一対のクラッド層のいずれか一方、あるいは双方のクラッド層中の電流注入領域の両側に、上記活性層のバンドギャップエネルギーと同一か、それより低いバンドギャップエネルギーを有する圧縮歪が加えられたInGaAs井戸層とInGaP障壁層が交互に積層されて構成されている歪多重量子井戸吸収層を有することを特徴とする半導体レーザ装置。