特許
J-GLOBAL ID：200903047515403193
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281715
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121707
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、半導体装置とその製造方法に関し、SOI構造を有し、トランジスタ含む半導体装置において、ダングリングボンド補償の元素によるSOI半導体層内の異常拡散を防止しつつ、かつダングリングボンド補償を確実に行って、ホットキャリア劣化の少ない半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 絶縁層上のSOI半導体層3に、第1導電型領域3を挟んで互いに離れて対向して配置された一対の第2導電型の電流端子領域7,8が形成され、少なくとも該絶縁層2と該SOI半導体層3との界面に沿ってダングリングボンドを補償できる元素の導入領域9,10を設け、該導入領域9,10は各電流端子領域7,8に対応するようにそれぞれ離間され、且つ、該第1導電型領域3にその一部が突出するように構成される。
請求項（抜粋）：
絶縁層(2)上のSOI半導体層(3)に形成され、第1導電型領域を挟んで互いに離れて対向して配置された一対の第2導電型の電流端子領域(7,8)を有するSOI型トランジスタを含む半導体装置において、少なくとも前記絶縁膜(2)と前記半導体層(3)との界面に沿って制御電極(6)で画定された領域にダングリングボンドを補償できる元素を導入した導入領域(9,10)を有し、該導入領域(9,10)は各電流端子領域(7,8)に対応するようにそれぞれ離間され、且つ、前記第1導電型領域にその一部が突出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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