特許
J-GLOBAL ID：200903047519614032
荷電粒子ビーム露光方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058661
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251941
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】スループットを上げるために荷電粒子ビーム量を高くして短時間で露光する場合に、ウエハが膨張して位置ずれが生じるのを防止する。【解決手段】露光データに基づいて露光パターンの形状にした荷電粒子ビームを試料上の所望の位置に偏向して照射する荷電粒子ビーム露光方法において、試料に照射された荷電粒子ビーム量に基づいて、荷電粒子ビームの照射に伴う該試料の膨張率を求める工程と、膨張率に基づいて、照射位置のずれを補正量として求める工程と、補正量を加えた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して試料に照射する工程とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
露光データに基づいて露光パターンの形状にした荷電粒子ビームを試料上の所望の位置に偏向して照射する荷電粒子ビーム露光方法において、該試料に照射された荷電粒子ビーム量に基づいて、該荷電粒子ビームの照射に伴う該試料の膨張率を求める工程と、該膨張率に基づいて、前記の照射位置のずれを補正量として求める工程と、前記補正量を加えた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して該試料に照射する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, G21K 5/04
, H01J 37/305
H01L 21/30 541 J
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, G21K 5/04 M
, H01J 37/305 B
