特許

J-GLOBAL ID：200903047523325070

共有するワード線およびデジット線を有するMRAM

発明者： ピーター・ケイ・ナジ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-560585
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520767
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】高速かつ高密度磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)装置(30)が提供される。MRAM装置は、ポリシリコンワード線(39a)を使用し、それは配線スペースを節約する。さらに、ワード線は接続線(44a)によってデジット線(38a)に接続され、それはトランジスタ(43a,40a)満の電気的抵抗を減らす。接続線の配置はデジット電流制御(33a)からトランジスタ(43a)までの伝搬時間を減少させ、メモリのサイクル時間を改善する。

請求項（抜粋）：

磁気ランダム・アクセス・メモリ・ユニットであって、 非磁性層によって分離された第1および第2磁性層を有する磁気メモリ・セル、および 前記磁気メモリ・セルを活性化するために前記磁気メモリ・セルに直列に接続されたメモリ・セル・スイッチ、を含むメモリ要素と、 前記第1磁気層上に配置され、前記第1磁気層に電気的に結合されたビット線と、 前記メモリ・セルの近傍に配置され、前記メモリ・セルからは電気的に絶縁され、かつ前記ビット線とは直角に配置されたデジット線と、 前記デジット線と平行して配置され、前記メモリ・セル・スイッチを制御するために前記メモリ・セル・スイッチに結合されるワード線と、 前記デジット線を前記ワード線に電気的に接続する接続線と、 から構成されることを特徴とする磁気ランダム・アクセス・メモリ・ユニット。

IPC (4件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (8件)：

5F083HA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• メモリ素子の電気抵抗が情報でありかつ磁場により影響を与えることができるメモリセル装置及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-560589   出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト