特許

J-GLOBAL ID：200903047525409092

ドライエッチング用マスクの形成方法

発明者： 吉川 ▲隆▼士
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282241
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135194
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】側面ゆらぎの少ないドライエッチング用マスクを作成する。【構成】InP基板1上にInGaAs層2を成長しその上にストライプ状のSiO2 パターン3を電子ビームリソグラフィーによるパターン作成と反応性イオンエッチングによる転写を用いて作成する。このSiO2 パターン3をマスクにInPを50nm選択成長することでInPマスク4が作成される。この選択成長InPマスクをエッチングマスクに用いて塩素ガスによる反応性イオンビームエッチング法で下層のInGaAsをエッチングする。エッチングされたInGaAs側壁はエッチングマスクゆらぎに起因する縦じまのない平坦な側壁が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に被エッチング膜と酸化膜または窒化膜を形成する工程と、前記酸化膜または窒化膜をパターニングしたのち露出した前記被エッチング膜上に選択的にマスク用の半導体膜を形成する工程とを含むことを特徴とするドライエッチング用マスクの形成方法。