特許
J-GLOBAL ID：200903047531312750
III族窒化物系化合物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101990
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345480
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【目的】 均一発光の得られる大型の発光素子を得る。【構成】 最外径が700μm以上の素子において、n電極から最も離れたp電極の点までの距離を500μm以内に収める。
請求項（抜粋）：
最外径が700μm以上の素子において、n電極から最も離れたp電極の点までの距離が500μm以内にある、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
