特許
J-GLOBAL ID：200903047533670301
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196186
公開番号（公開出願番号）：特開平6-012900
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルの電気的特性を,すなわち電圧-電流特性や、しきい値電圧を外部から直接観測できるようにする。【構成】 任意の電圧を印加する外部端子4と各メモリセルアレイ1a,1b,...1nとをそれぞれ接続する複数のビット列選択用FET(QB0,QB1,...QBn)を選択してオンし、同一ビット列のメモリセルアレイ上の特定のメモリセルFET(Qi)から外部端子までの電流経路を形成する同一ビット列選択手段5を設けた。また、特定のメモリセルFET(Qi)のゲートに可変電圧を供給する電源回路を備えた。【効果】 装置の不留り、不良品解析の精度が向上する。
請求項（抜粋）：
トランジスタ,FET等の素子より構成される複数個のメモリセルより成り、データバスの同一ビットに接続されるメモリセルアレイを複数個備えるとともに、上記各メモリセルアレイのワード線を指定し、指定されたワード線に接続されたメモリセルの素子の制御極をオンする選択回路と、上記各メモリセルアレイのビット線を指定する選択回路とを備え、上記各選択回路により選択される各メモリセルアレイ上のメモリセルのデータをデータバスを介して読出し/書込むように構成された不揮発性半導体記憶装置において、外部端子と、この外部端子と上記各メモリセルアレイとをそれぞれ接続する複数のスイッチング素子と、このスイッチング素子を選択してオンし、同一ビット列のメモリセルアレイ上の特定のメモリセルから外部端子までの電流経路を形成する同一ビット列選択手段とを備え、上記外部端子に任意の電圧を供給することにより上記電流経路を介して上記特定のメモリセルの素子に電流を流すようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 29/00 303
, G01R 31/318
, G11C 16/06
G01R 31/28 B
, G11C 17/00 309 E
