特許

J-GLOBAL ID：200903047550735433

プラズマCVD装置

発明者： 吉田 哲久 ,  竹澤 浩義 ,  北川 雅俊 ,  石原 伸一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072695
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266201
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、累積堆積膜厚の増加に対して、得られる膜の膜質や膜厚分布の再現性が良好なプラズマCVD装置を提供することを目的とする。【解決手段】 真空排気装置に接続された容器内に内室を設け、前記内室にガス導入口を備えた高周波印加電極及び基板台を設けたプラズマCVD装置において、前記内室の高周波印加電極,及び基板台以外の内壁を絶縁体で覆う、内室のコーナー部を絶縁体で覆う、あるいは高周波印加電極のみを絶縁体で覆う。

請求項（抜粋）：

真空排気装置に接続された容器内に内室を設け、前記内室にガス導入口を備えた高周波印加電極及び基板台を設けたプラズマCVD装置において、前記内室の高周波印加電極,及び基板台以外の内壁を絶縁体或いは半絶縁体で覆うことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A