特許

J-GLOBAL ID：200903047555087731

半導体製造装置

発明者： 丸谷 新治 ,  加藤 浩樹 ,  日野 和彦 ,  久永 直人 ,  越智 望
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社 ,  株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-091627
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302519
出願日： 1993年04月19日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ウェハ面内に均一なガス供給を行うことのできる半導体製造装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明の第1では、反応室1の側壁に、基板支持台4の高さとなるように設置せしめられ、中心部に穴を形成してなるガイド板19と、このガイド板とそれぞれ互いの側面で係合するように構成され基板支持台の外周部を囲むサセプタリング20とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応室と、前記反応室内に設置され、被処理基板を支持する基板支持台と、 反応性ガスを、被処理基板表面に沿うように供給するガス供給手段と、前記反応室の側壁に、前記基板支持台の高さとなるように設置せしめられ、中心部に穴を形成してなるガイド板と、前記ガイド板とそれぞれ互いの側面で係合するように構成され前記基板支持台の外周部を囲むサセプタリングとを具備したことを特徴とする半導体製造装置。