特許

J-GLOBAL ID：200903047558410185

薄膜製造方法および装置

発明者： 執行 正一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-334020
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153484
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 CVD成膜中に下地膜からのアウトガス発生を抑制して均質なCVD成膜を行うCVD膜の製造方法を提供する。【解決手段】 下地膜が形成されたウエハ8表面にCVD成膜を行う前に、前記下地膜中の含有ガス成分を、例えば、高真空排気して、或いは加熱して、或いはプラズマ照射して除去する。

請求項（抜粋）：

下地膜が形成されたウエハ表面に薄膜を形成する前に、前記下地膜中の含有ガス成分を除去することを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/31 ,  B01J 3/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

H01L 21/31 B ,  B01J 3/00 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/302 N