特許

J-GLOBAL ID：200903047564890989

半導体装置の製造装置および製造方法

発明者： 冨田 健一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066731
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260230
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】枚葉式真空反応室を有する半導体製造装置において、ユーザーによる使用段階における種々のプロセスの散乱因子に影響されるプロセスの変遷に十分に追随させることを可能とし、確保すべき高均一性自体の程度を向上させる。【解決手段】半導体装置処理用のプロセスガスの導入口および排気口を備え、所定の真空状態に設定可能な真空反応室と、真空反応室の内部に設置され、半導体ウエハを上面に載置するための枚葉式のウエハサセプタと、ウエハサセプタの外周に沿って配設され、半導体ウエハの上面高さよりも上方へ突出した部位を有し、ウエハ上のガス流を制御するためのガス流整流装置とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体装置処理用のプロセスガスの導入口および排気口を備え、所定の真空状態に設定可能な真空反応室と、前記真空反応室の内部に設置され、半導体ウエハを上面に載置するための枚葉式のウエハサセプタと、前記ウエハサセプタの外周に沿って配設され、前記半導体ウエハの上面高さよりも上方へ突出した部位を有し、前記半導体ウエハ上のガス流を制御するためのガス流整流装置とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (6件)：

H01L 21/02 Z ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 D