電界放出型表示素子およびその駆動方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：脇篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-117173
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283066
出願日： 1996年04月16日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】周囲温度が変化しても発光輝度の変動を防止する。【解決手段】表示領域2に形成されているカソード電極3の上には抵抗層が形成されており、この上にエミッタコーンが形成されている。この抵抗層は半導体材料で形成されているので、温度により抵抗値が変化する。そこで、同材料を用いてモニタ抵抗パターン5を形成し、この抵抗値の変化をOPアンプ11により電圧変化で取り出し制御回路14に供給する。制御回路14は抵抗値に応じてゲート電圧Vgを制御することにより発光輝度の変動を防止する。

請求項（抜粋）：

電界放出部を備えるカソード基板と、該カソード基板に対向する発光部を備えるアノード基板からなる真空の雰囲気中で動作する電界放出型表示素子において、前記電界放出部は、カソード電極と電子を放出するエミッタとの間に形成された抵抗層を有しており、該抵抗層の抵抗値を検出するためのモニタ抵抗パターンが、該抵抗層と同材料を用いて同一のプロセスにより形成されていることを特徴とする電界放出型表示素子。

IPC (3件)：

H01J 31/12 , G09G 3/22 , H01J 1/30

FI (3件)：

H01J 31/12 C , G09G 3/22 , H01J 1/30 B

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