半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025855
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223788
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 6H-SiC基板上に形成されるにIII族窒化物エピタキシャル成長層にクラックが入りにくく、また、平坦であって伝導性の高いバッファ層を形成でき、高品質なIII族窒化物エピタキシャル成長層を備えた半導体素子を提供する。【解決手段】 6H-SiC基板上に形成されたIII族窒素物半導体素子において、6H-SiC基板上にボロンを必ず含むB<SB>1-X-Y</SB>Al<SB>X</SB>Ga<SB>Y</SB>N層(0≦X+Y<1、かつ、0≦X<1、かつ、0≦Y<1)をバッファ層として用いる構成とし、平坦で伝導性の高いバッファ層を形成でき、また、その上に形成されるIII族窒化物エピタキシャル成長層にクラックが入りにくく、高品質なものとした。

請求項（抜粋）：

6H-SiC基板上に積層された第一の層B<SB>1-X-Y</SB>Al<SB></SB><SB>X</SB>Ga<SB>Y</SB>N層(0≦X+Y、Y、X≦1)を少なくとも一層含む半導体素子において、第二の層B<SB>1-X-Y</SB>Al<SB>X</SB>Ga<SB>Y</SB>N層(0≦X+Y<1、かつ、0≦X<1、かつ、0≦Y<1)が前記6H-SiC基板に接して積層され、この第二の層の面の内前記基板と反対側の面に接して、前記第一の層が積層されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 673 , H01L 33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB07

前のページに戻る