特許
J-GLOBAL ID：200903047572062491

レジスト材料

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351335
公開番号（公開出願番号）：特開2001-166476
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 孤立残しパターンをポジあるいはネガレジストを用いて、広いフォーカスや露光のマージンを確保するために、レジストの溶解の傾きを繰り返しパターン用レジストより小さくすることができるとともに、従来の欠点であるPEB温度マージンの低下を生じないジスト材料を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で示される窒素含有化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。【化1】(式中、R1、R2は水素原子あるいは同一または異種の炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基であって、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル、アミノ基などを含んでも良く、R3は同一または異種の炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基であり、R1とR2、R1とR3、R2とR3が互いに結合して環を形成しても良い。)
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される窒素含有化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2は水素原子あるいは同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基であって、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル、アミノ基を含んでも良く、R3は同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基であり、R1とR2、R1とR3、R2とR3が互いに結合して環を形成しても良い。)
IPC (5件)：
G03F 7/038 601 ,  C08K 5/16 ,  C08L101/16 ,  G03F 7/027 514 ,  G03F 7/039 601
FI (5件)：
G03F 7/038 601 ,  C08K 5/16 ,  G03F 7/027 514 ,  G03F 7/039 601 ,  C08L101/00
Fターム (32件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  4J002BC041 ,  4J002BC121 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002EB107 ,  4J002EN106 ,  4J002ES017 ,  4J002ET006 ,  4J002EU026 ,  4J002EV086 ,  4J002EV217 ,  4J002EV227 ,  4J002EV297 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207
引用特許：
審査官引用 (13件)
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