特許
J-GLOBAL ID：200903047573741198
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067905
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275325
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 臭素が結合した変質層を有するレジストの灰化に関し,運動エネルギを有する水素ラジカルを照射して,エッチング可能とすることを目的とする。【構成】 臭素が結合した変質層4aを表面に有するレジストパターン4を除去するアッシング工程を有する半導体装置の製造方法において,アッシング工程の前に,変質層を水素プラズマに曝して該変質層中の臭素を離脱させる工程を有することを特徴として構成する。
請求項（抜粋）：
臭素が結合した変質層(4a)を表面に有するレジストパターン(4)を除去するアッシング工程を有する半導体装置の製造方法において,前記アッシング工程の前に,該変質層を水素プラズマに曝して該変質層中の臭素を離脱させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
