半導体製造ラインにおける鏡面基板の検査方法およびその装置並びに半導体製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-345889
公開番号（公開出願番号）：特開平6-194320
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】鏡面基板からのピッチ0.3μm以下、最大高さ0.7nm以下の緩やかな微小凹凸による散乱光ノイズを低減して0.05μm以上の微小な異物を検出し、鏡面基板上の微小凹凸を評価できるようにした微小異物の検査方法と装置を提供する。【構成】半導体量産ラインの所定プロセスまたは製造装置に鏡面ウエハを流し、該鏡面ウエハに対して照明光学系2200の入射角度θを小さくし、イメージインテンシファイヤ等の検出分解能の高い検出光学系2300およびリニアセンサ1552等の検出器により検出領域を充分に小さくすることにより0.05μm以上の微小な異物を微小凹凸と弁別して検出する。【効果】量産立上げ時に必要な異物の検出・分析・評価の機能を最大限に可能とし、量産ラインへのフィードバックを円滑に進めることができ、LSIの量産ラインを早期に高い歩留りに立ち上げることを実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体の製造ラインの所定個所に、0.5μm以下のピッチで、0.7nm以下の高さの緩やかな微小凹凸を有する鏡面基板を流し、該鏡面基板に対して斜め方向からのレーザ光を照射して、前記鏡面基板からの散乱光を集光レンズで集光して結像させて、光電変換手段により鏡面基板上に換算して1μm以下の画素で光電変換して散乱フォトン数に応じた信号を検出し、該信号により前記鏡面基板上に付着した0.05μm以下の微粒子を前記鏡面基板上の微小凹凸と弁別して検出することを特徴とする半導体製造ラインにおける鏡面基板の検査方法。

IPC (3件)：

G01N 21/88 , G01B 11/24 , H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-082136
特開平2-216035
特開昭64-028512

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