不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-161817
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031962
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】書換え可能回数を向上させた一括消去型フラッシュメモリを提供する。【構成】層間絶縁膜として、応力の少ない絶縁膜を用いる。【効果】ゲート絶縁膜中での電子捕獲中心の発生を抑えて、書換え時の高電界ストレスによっても高電界電流が減少しないか、あるいは、低電界漏洩電流が増大しないゲート絶縁膜が得られる。

請求項（抜粋）：

第一導電型を有する半導体基板にゲート絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に少なくとも一部分が積層される形で層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極と、前記半導体基板内に互いに分離して設けられた第二導電型のソース,ドレイン領域を備えた電気的に書換え可能な不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、前記層間絶縁膜として化学気相成長法により単層酸化シリコン膜を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-244863
特開平3-071674
特開昭61-248566

全件表示

前のページに戻る