特許
J-GLOBAL ID:200903047587906807
処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-137264
公開番号(公開出願番号):特開平9-320915
出願日: 1996年05月30日
公開日(公表日): 1997年12月12日
要約:
【要約】【課題】 被処理基板を昇降する際のパーティクルの発生を抑え、半導体デバイス製造の歩留まりを向上させることができる処理装置の提供。【解決手段】 仕切り板91a,92aの裏側と円筒状支持体94の壁部とでダクト91b,92bが形成されている。仕切り板91a,92aの上端および下端付近には、空気排出口93、95が設けられており、排気ファン93a,95aが配置されている。そして、円筒状支持体94内でウエハ搬送体96が昇降する際に円筒状支持体94の上端付近および下端付近において圧縮されようとする空気は、空気排出口93,95を介して主ウエハ搬送機構24の外部に排出される。よって、円筒状支持体94の上端付近および下端付近における空気の圧縮漏洩によりパーティクルが円筒状支持体94内で拡散することはなくなる。
請求項(抜粋):
垂直方向に多段に配置され、被処理基板に一連の処理を施こす複数の処理ユニットと、垂直方向に移動可能で垂直軸回りに回転可能にされ、前記処理ユニット間で被処理基板を受け渡す搬送手段と、この搬送手段を収容する支持体と、前記支持体の上端または下端付近に設けられ、前記搬送手段の昇降時に前記搬送手段と前記支持体との間で圧縮される空気を排出する排出手段とを具備することを特徴とする処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/02
, G03F 7/30 501
, H01L 21/027
, H01L 21/68
FI (7件):
H01L 21/02 D
, G03F 7/30 501
, H01L 21/68 A
, H01L 21/30 502 J
, H01L 21/30 564 C
, H01L 21/30 567
, H01L 21/30 569 D
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