特許
J-GLOBAL ID：200903047588081518
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-045816
公開番号（公開出願番号）：特開平8-243922
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月24日
要約：
【要約】【目的】 サンドブラスト法を用いて、領域の広さや形状が異なる除去対象部分を同時に切削するときに生じる切削速度の差を埋めて、所定通りのパターンを形成する。【構成】 背面基板11上にパターン形成用の被着層として誘電体層29を設け、その後誘電体層29上に第1、第2および第3窓33、35および37を有するサンドブラストマスク31を設ける。このうち、第1および第2窓33および35と比較してはるかに広い領域にわたる第3窓37に対応した誘電体層29の露出部分を、この第3窓37よりも大きい寸法で、第3窓37を介してサンドブラスト法により除去する。
請求項（抜粋）：
高さが均一な、パターン形成用被着層上にマスクを設け、該マスクの複数の窓にそれぞれ対応した前記被着層の被除去領域をサンドブラスト法で同時に除去して所定のパターンを残存形成するに当たり、ある窓を介して該窓の大きさおよび形状と同一または実質的に同一の大きさおよび形状の被除去領域を除去する処理と、前記窓とは異なる窓を介して該異なる窓の大きさよりも大きいが形状は同一または実質的に同一の被除去領域を除去する処理とを、同じサンドブラスト工程で行うことを特徴とするサンドブラスト法によるパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
B24C 1/04 B
, B24C 1/04 F
, H01J 9/02 F
