特許
J-GLOBAL ID：200903047591359160
選択性拡散領域を有する半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-528401
公開番号（公開出願番号）：特表2002-503390
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 2002年01月29日
要約：
【要約】本発明は、スライス形状の半導体基板(2)を含む半導体装置を製造する方法を開示し、方法は、工程1)固体系ドーパント源のパターンを半導体基板(2)上の第1の主面に選択的に適用し、工程2)半導体基板(2)を取り巻く気相環境内で制御された熱処理過程により該固体系ドーパント源から基板(2)内にドーパント原子を拡散させ、固体系ドーパント源からのドーパントを直接に該基板中に拡散させて、固体系ドーパント源のパターン直下の上記基板内に直接的に、第1の拡散領域(12)を形成すると同時に、該固体系ドーパント源からのドーパントを間接的にガス環境を介して基板(2)内に拡散させ、第2の拡散領域(15)を少なくともパターンで覆われていない基板(2)上の領域に形成し、工程3)該第2の拡散領域(15)を実質的にエッチングすることなく、金属コンタクトパターン(20)を該第1の拡散領域(12)に実質的に整合するように形成することを、含む。
請求項（抜粋）：
スライス状の半導体基板を含む半導体装置の製造方法であって、製造方法が、 工程1) 固体系ドーパント源のパターンを半導体基板上の第1の主面に選択的に適用し、 工程2) 半導体基板を取り巻く気相環境内で制御された熱処理過程により該固体系ドーパント源から基板内にドーパント原子を拡散させ、固体系ドーパント源からのドーパントを直接に該基板中に拡散させて、固体系ドーパント源のパターン直下の上記基板内に直接的に、第1の拡散領域を形成すると同時に、該固体系ドーパント源からのドーパントを間接的にガス環境を介して基板内に拡散させ、第2の拡散領域を少なくともパターンで覆われていない基板上の領域に形成し、 工程3) 該第2の拡散領域をエッチングしないで、金属コンタクトパターンを該第1の拡散領域に実質的に整合するように形成することを、含む半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 H
