特許

J-GLOBAL ID：200903047596911430

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 宮坂 幸太郎
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216092
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044178
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハステージの新規なリフトピン動作により、イオン注入レジストのアッシング時間を短縮、効率化できる。【解決手段】 処理される基板S1を載置でき、基板S1を加熱する加熱機構5を有するステージ2と、このステージ2に設けられ、基板S1をステージ上で支持するリフトピン3とを備え、リフトピン3は連続的あるいはステップ的に昇降し、基板S1をステージ上の所定の高さに保持可能とした。これにより、基板処理、特に種々のイオン注入したレジストのアッシングにおいて、ウェーハ温度の設定が多様化できる。このため、ポッピング現象を避けるように効率良く短時間で処理でき、また処理待ち時間のロスがなく、半導体製造工程のリードタイム短縮に多大の効果が得られる。

請求項（抜粋）：

基板が所定の温度になるように、加熱されたステージから一定の距離だけ離して前記基板を設置する工程と、設置した前記基板を処理する工程と含む基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/30 572 A

Fターム (20件)：

2H096AA25 ,  2H096HA30 ,  2H096LA07 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB15 ,  5F004BB26 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004CA05 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EA28 ,  5F031CA02 ,  5F031HA08 ,  5F031HA09 ,  5F031HA37 ,  5F031MA23 ,  5F046MA12