特許
J-GLOBAL ID：200903047599955552
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124890
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314822
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 最上層であるp層に形成する電極を透光性にして、発光素子の外部量子効率を向上させると共に、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面として、上から電極を取り出すことにより、発光素子の生産性を向上させる。【構成】 p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体表面に、オーミック接触用の電極として、金属よりなる透光性電極が形成されている。
請求項（抜粋）：
p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体表面に、オーミック接触用の電極として、金属よりなる透光性電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, G02F 1/1343
, H01L 21/324
