特許
J-GLOBAL ID：200903047605651471
半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025544
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226781
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 コストアップ要因のプロセスを減らし、かつ高品質の端面コーティングを容易に行なう半導体発光素子の製造方法を提供する。【構成】 光を輻射する端面にウィンドウ層を有するダブルヘテロ構造半導体発光素子の製造方法において、基板半導体1の特定面上に所定方位の開口部を有する選択成長用マスク2を設ける工程と、当該開口部に少なくとも第一の導電型を有する第一のクラッド層5、活性層4、第二の導電型を、有する第二のクラッド層3を連続的に選択エピタキシャル成長させる工程と、引続き同一装置内で当該選択エピタキシャル成長と異なる温度を選択することによって当該選択エピタキシャル成長を自動的に停止せしめ、代わって成長側面のみに活性槽と異なる元素からなる半導体層を当該温度で選択的に成長させ以って光の輻射端面にウィンドウ層を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
光を輻射する端面にウィンドウ層を有するダブルヘテロ構造半導体発光素子の製造方法において、基板半導体(1)の特定面上に所定方位の開口部(8)を有する選択成長用マスク(2)を設ける工程と、当該開口部(8)に少なくとも第一の導電型を有する第一のクラッド層(5)、活性層(4)、第二の導電型を有する第二のクラッド層(3)を連続的に選択エピタキシャル成長させる工程と、引続き同一装置内で当該選択エピタキシャル成長と異なる温度を選択することによって当該選択エピタキシャル成長を自動的に停止せしめ、代わって成長側面のみに活性層と異なる元素からなる半導体層を当該温度で選択的に成長させ以って光の輻射端面(6)にウィンドウ層(7)を形成する工程とを含む半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
