特許
J-GLOBAL ID：200903047608692713
読出専用半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187538
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032268
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：
【要約】【課題】 非常に多量の可動イオンが侵入した場合でも記憶データが破壊されることなく、しかも書き込みもしくは消去の効率の低下に伴う消去スピードの低下あるいは消去電流の増加のない読出専用半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体基板10表面に形成されたドレイン拡散層11、ソース拡散層12若しくは拡散層で形成されたコントロールゲート14のいずれか少なくとも一つが、素子分離領域下に形成された前記拡散層とは異なる不純物拡散層15を介して電極が引き出されると共に、フローティングゲート13上に絶縁層20を介して保護ゲート18が形成され、且つ前記フローティングゲート13の一部縁端が前記素子分離領域上に延在し、前記素子分離領域を構成する絶縁層17を介して前記保護ゲート18縁端が前記拡散層とは異なる不純物拡散層15と対向することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成され、ドレイン拡散層、ソース拡散層、フローティングゲート及び拡散層で形成されたコントロールゲートを有する読出専用半導体記憶装置において、前記ドレイン拡散層、前記ソース拡散層若しくは前記拡散層で形成されたコントロールゲートのいずれか少なくとも一つが、素子分離領域下に形成された前記拡散層とは異なる不純物拡散層を介して電極が引き出されると共に、前記フローティングゲート上に絶縁層を介して前記フローティングゲートを完全に覆うよう保護ゲートが形成され、且つ前記フローティングゲートの一部縁端が前記素子分離領域上に延在して、前記素子分離領域を構成する絶縁層を介して、前記保護ゲート縁端が前記拡散層とは異なる不純物拡散層と対向することを特徴とする読出専用半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/06
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 530 A
, H01L 27/10 434
