特許

J-GLOBAL ID：200903047609629900

エピタキシャル成長方法

発明者： 斉 藤 芳 彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335443
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201740
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 エレベーテッドソース/ドレイン構造のMOSFETや、エピタキシャルベース/エピタキシャルエミッタ構造のバイポーラトランジスタなどのように、低温でのエピタキシャル成長を必要とするデバイス構造に対して、キヤリアガス中にSiH4またはSi2H6を微量含有させ、ウェーハ表面処理後のSi基板上への自然酸化膜の生成を阻止し、エピタキシャル成長工程の低温化を安定に実現する。【構成】 表面処理炉8で表面処理したウェーハ11を、プラットフォーム5ではH2ガスにSiH4およびSi2H6の少なくとも一方を1ppb〜1ppm混合した、900°C以下の雰囲気に置き、表面処理を施したウェーハ11の表面に自然酸化膜が再成長するのを阻止し、続いて、ウェーハ11を反応チャンバー1に送り込み、H2ガスにSiH4およびSi2H6の少なくとも一方を混合した雰囲気中で、高速回転させ、Si原料ガスを送り込みながらエピタキシャル成長させることにより、比較的低温環境中で、ウェーハ11表面に高速でエピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

表面処理を施したウェーハをH2ガスにSiH4およびSi2H6の少なくとも一方を1ppb〜1ppm混合した、900°C以下の雰囲気に置く第1のプロセスと、H2ガスにSiH4およびSi2H6の少なくとも一方を混合した雰囲気中にSi原料ガスを送り込みながら表面処理の済んだウェーハ表面にエピタキシャル成長する第2のプロセスと、を備えることを特徴とするエピタキシャル成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/78