特許
J-GLOBAL ID：200903047618254730
メタライズ基板モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342557
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196584
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、クラックや反りの発生が少なく、耐久性および信頼性が高く、かつ製造が容易なメタライズ基板モジュールを提供することにある。【構成】本発明に係るメタライズ基板モジュールは、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板2の両面の所定位置にそれぞれメタライズ層3a,3bを一体に形成し、一方のメタライズ層3a表面に半導体素子4を接合するとともに、上記セラミックス基板2および半導体素子4を収容する収納容器6に熱伝導性接着剤8を介して他方のメタライズ層3bを一体に接合固定したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板の両面の所定位置にそれぞれメタライズ層を一体に形成し、一方のメタライズ層表面に半導体素子を接合するとともに、上記セラミックス基板および半導体素子を収容する収納容器に熱伝導性接着剤を介して他方のメタライズ層を一体に接合固定したことを特徴とするメタライズ基板モジュール。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 F
, H01L 23/12 J
, H01L 23/36 M
