特許

J-GLOBAL ID：200903047623000895

液晶表示装置

発明者： 神野 優志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-306560
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160454
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 p-SiTFTを用いた液晶表示装置において開口率を向上する。【構成】 ゲートライン(13)をポリサイドにより形成し、その遮光性を利用して、画素電極(17)をゲートライン(13)に重畳する領域まで拡大する。表示領域がゲートライン(13)のエッジにまで広がるとともに、ゲートライン(13)をもってBMに代替させることにより、対向基板側のBMが縮小あるいは不要となり、貼り合わせマージンが無くなり、開口率が向上する。

請求項（抜粋）：

一対の電極基板間に液晶が密封され表示画素ごとに形成された液晶駆動用の画素容量に信号電圧を印加することにより前記液晶の配向を変化して光を変調する液晶表示装置において、前記一対の電極基板の一方は、基板上に、不純物を含有しないチャンネル層及び該チャンネル層の両側端に不純物を含有したソース領域とドレイン領域を含んで島状に形成された多結晶半導体層と、該多結晶半導体層上に形成された第1の絶縁層と、該第1の絶縁層が形成された前記基板上に形成され前記チャンネル層の上方に配されたゲート電極を含むゲートラインと、該ゲートライン上に形成された第2の絶縁層と、該第2の絶縁層が形成された前記基板上に形成され前記ドレイン領域との接続部を有するドレインラインと、該ドレインラインを覆って全面的に形成され表面が平坦にされた第3の絶縁層と、該第3の絶縁層上に形成され前記ソース領域との接続部を有し前記画素容量の一方を成す画素電極とから成り、前記画素電極は前記ゲートラインに部分的に重畳されていることを特徴とする液晶表示装置。