特許
J-GLOBAL ID：200903047623114980
化合物半導体磁気抵抗素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241674
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068755
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 電極間の間隔が狭く、高度なフォトリソ技術を必要としない安価な化合物半導体磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 基板21上に磁気抵抗効果膜としての化合物半導体薄膜23からなる感磁部25と、感磁部25に通電する電極22、24とが形成された化合物半導体磁気抵抗素子20であって、感磁部25の通電方向が化合物半導体薄膜23の厚み方向であるので、高度なフォトリソ技術を必要とせずに電極22、24間の間隔を非常に狭くすることができる。しかも感磁部25の厚みをtとし、電極22、24の磁界方向と垂直な辺の長さをLbとすると、比t/Lbを非常に大きくすることができ、磁気抵抗の変化率の大きな化合物半導体磁気抵抗素子20が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に磁気抵抗効果膜からなる感磁部と、該感磁部に通電する電極とが形成された化合物半導体磁気抵抗素子において、上記感磁部の通電方向が上記磁気抵抗効果膜の厚み方向であることを特徴とする化合物半導体磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 S
, H01L 43/02 Z
