ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-130871
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329793
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】金属膜のドライエッチングにおいて、高アスペクト比のパターンでもサイドエッチングせず、また、フォトレジストのエッチング量を最小限に抑えることが可能なドライエッチング方法を提供する。【解決手段】プラズマ生成とイオン引き込みが独立に制御可能なエッチング装置により、エッチング時間tに対してイオン引き込み用高周波電源8のバイアスパワー又は周波数を経時的に直線的又は曲線的に上昇させることにより、エッチング深さに対してエッチングイオンの数を変化させずに、ウエハ10のドライエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成とイオン引き込みが独立に制御可能なエッチング装置によりウエハをドライエッチングする方法において、イオンを引き込むイオン引き込み用高周波電源の周波数を一定にし、その電圧を経時的に上昇させることにより、イオンエネルギーを連続的に上昇させつつウエハをエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H05H 1/46 L , C23F 4/00 A , H01L 21/302 C

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