特許

J-GLOBAL ID：200903047627138670

光電子デバイスの形成方法

発明者： レオ マリア シロブスキー ,  ジョン エドワード クニンガム ,  ルシアン アーサー ダサロ ,  キース ウェイン グーセン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-341336
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189661
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 従来のボンディング技術の持つストレスの問題を解消して、信頼性の高い、高歩留まりのボンディング方法を提供する。【解決手段】 異なる熱膨張係数を持つ基板を含む基板構造を熱圧縮ボンディングする方法が開示される。例えば、光ダイオードアレーまたは他の半導体基板(14)をシリコン基板(38)に熱圧縮ボンディングして、電子デバイスまたは光電子デバイスを形成する。この方法は、相互接続対象となる基板構造(14、38)を位置合わせし、接触させるステップ(66)、ボンディング温度でコンタクトパッド要素(22、24と42、44)を熱圧縮するステップ(70)、カプセル化温度を設定するステップ(82)、ボンディングされた基板構造の間にカプセル化材料(79)を供給するステップ(84)、およびこのカプセル化材料をカプセル化温度で硬化させるステップを含む。

請求項（抜粋）：

光電子デバイス(10)を形成するための方法において、少なくとも一つの光学部品の上に少なくとも一つのコンタクトパッド(22,24)が形成された光学部品(14)のアレーと、第1の熱膨張係数を持つ光学基板(12)を提供するステップと、前記光学部品のコンタクトパッドに対応して形成され、整列された複数のコンタクトパッド(42,44)と、前記第1の熱膨張係数とは異なる第2の熱膨張係数を持つ半導体基板(38)を提供するステップと、少なくとも一つの熱圧縮ボンドを持つ光電子デバイスを形成するようなボンディング温度と圧力によって、前記光学基板の前記コンタクトパッドの少なくとも一つを、前記半導体基板の対応するコンタクトパッドに対して、それらの間に低プロファイルギャップが形成されるようにボンディングするステップと、前記光電子デバイスに対してカプセル化温度を設定するステップと、前記低プロファイルギャップ内にカプセル化材料(79)を供給するステップと、前記カプセル化材料が前記光電子デバイス内に形成された前記少なくとも一つの熱圧縮ボンドをカプセル化してその熱圧縮ボンドを安定させるように前記カプセル化温度を維持するステップを有することを特徴とする光電子デバイスの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/603 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/603 B ,  H01L 33/00 A