縮小投影露光用レチクルとそのレチクルを用いた露光法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136495
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335203
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路装置の製造に用いる縮小投影露光用レチクルとそのレチクルを用いた露光法に関し、投影露光装置の円形の有効露光領域内に可能な限り大型のチップパターンを形成し、また、1枚のウェハの露光を完了するのに必要なショット数を低減する。【構成】縮小投影露光装置の円形の有効露光領域1に実質的に内接する6角形以上の多角形形状のレチクルパターン2内に1個以上のチップパターン5を有する縮小投影露光用レチクル、または、複数のチップパターンからなり全体的に十字形を有し、縮小投影露光装置の円形の有効露光領域に実質的に内接するレチクルパターンを有するレチクルを用いて、フォトレジスト膜が形成されたウェハの上に、チップパターンを、そのスクライブ中心3を一致させて隣接して繰り返し縮小露光する。

請求項（抜粋）：

縮小投影露光装置の円形の有効露光領域に実質的に内接する6角形以上の多角形形状のレチクルパターン内に1個以上のチップパターンを有することを特徴とする縮小投影露光用レチクル。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , H01L 21/308

FI (2件)：

H01L 21/30 311 L , H01L 21/30 301 P

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