特許
J-GLOBAL ID：200903047632526000
気相成長法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-191673
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022344
出願日： 1993年07月06日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 炭素濃度が均一なIII-V族化合物半導体が、再現性良く形成できるようにすることを目的とする。【構成】 成長温度を反応律速温度領域である450°Cとし、供給するGaのソースガスのモル分率に対するAsのソースガスのモル分率の比であるV/III比が1以下の領域で成長を行うと、炭素濃度があまり変化せず、不純物(キャリア)である炭素混入量が均一なGaAs層が形成できる。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物の結晶を有機金属気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長法であって、結晶成長を行う反応室内に供給するIII 族原料ガスのモル分率に対するV族原料ガスのモル分率の比が1以下であり、結晶成長を行う温度が反応律速温度領域であることを特徴とする気相成長法。
IPC (2件)：
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