特許

J-GLOBAL ID：200903047634366107

位相シフトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 森内 昇 ,  白井 精一郎 ,  小野塚 利彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-297106
公開番号（公開出願番号）：特開平8-297359
出願日： 1995年11月15日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【課題】 位相シフトマスクの製作に要する設計および製造時間の増加を抑えることのできる技術を提供する。【解決手段】 一つの実開口およびその周辺四方に近接して設けられた補助開口群をユニットセル化してなる一つのホール用ユニットセルを作成し、同一の配向で第1のピッチで配置された第1のホール用ユニットセル26c1 〜26c3 および同一の配向で上記第1のピッチよりも狭い第2のピッチで配置された第2のホール用ユニットセル27c1 〜27c3 を第1のレイアウトデータ上にレイアウトすることによって、半導体基板上に設けられたレジスト膜にホールパターン群を形成する際に用いられる第1の位相シフトマスクの実開口と補助開口群からなるホール開口群のデータを作成する。

請求項（抜粋）：

以下の工程よりなる半導体集積回路装置の製造のための位相シフトマスクの製造方法:(イ)一つの実開口とその周辺四方に近接して設けられ、前記実開口に対して位相が反転した補助開口群とからなるマスク主面上のホール開口群に対応する第1のホール用ユニットセルをコンピュータ処理により第1の位相シフトマスクのための第1のレイアウトデータ上にレイアウトすることによって、ウエハ上に第1のピッチで配置された第1のホールパターン群に対応する多数のホール開口群からなる第1のホール開口分布領域をレイアウトする第1ホール開口分布領域レイアウト工程;(ロ)前記第1のホール用ユニットセルをコンピュータ処理により前記第1の位相シフトマスクの前記第1のレイアウトデータ上に最近接の任意の一対のホール開口群に属する一対の補助開口の長手方向の辺または側部同士が近接対向しないような配向でレイアウトすることによって、前記ウエハ上に隣同士近接して前記第1のピッチよりも狭い第2のピッチで配置された第2のホールパターン群に対応する多数のホール開口群からなる第2のホール開口分布領域をレイアウトする第2ホール開口分布領域レイアウト工程;(ハ)レイアウトが完了した前記第1のレイアウトデータまたはそれから作られた第1のマスク描画データに基づいて前記第1の位相シフトマスクの前記主面上に前記第1および第2のホール開口分布領域を描画する第1ホール開口分布領域描画工程。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/30 541 J