特許

J-GLOBAL ID：200903047635799082

半導体装置

発明者： 野々山 林 ,  福本 晴継 ,  氷見 啓明
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-169135
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029974
出願日： 1993年07月08日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 ロードダンプといった大きなサージにも耐えうるような保護ダイオードを有し、その大きさを変える必要のない半導体装置を提供する。【構成】 所定の処理を施したN- シリコン基板1とP- シリコン基板2とを貼り合わせ、N- シリコン基板1の表面上にパワー素子10や制御回路24を形成する。シリコン基板1は酸化膜3で絶縁分離された領域10、14、19と、直接接合の領域9とに分かれている。そして、直接接合の領域9のシリコン基板2にはツェナーダイオードとなるPN接合5が形成され、基板1の直接接合領域9の表面電極6と基板2の裏面電極7が各々ダイオードのカソード電極、アノード電極となる。

請求項（抜粋）：

一導電型を有する半導体基板と、該半導体基板上に形成され、絶縁分離層により底部および側壁部を囲われた絶縁分離領域と、前記半導体基板上に形成され、その底部が前記絶縁分離領域の底部の絶縁分離層よりも下方に形成された逆導電型の半導体層と、を有することを特徴とした半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-217052
  
• 特開平4-275450
  
• 特開平2-271567
  
• 特開平3-093265