特許
J-GLOBAL ID：200903047638072078
半導体記憶素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279632
公開番号（公開出願番号）：特開平5-120866
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体膜をゲート絶縁膜として使用した強誘電体トランジスタを使用して、高速動作で、非破壊読み出しができ、書き換え回数も1010オーダ可能なメモリアレイを構成する半導体記憶素子を提供する。【構成】 強誘電体トランジスタFTとスイッチングトランジスタSTのソース電極とドレイン電極とを接続してメモリセルを形成し、マトリックス状にメモリセルを配列することにより構成する。
請求項（抜粋）：
金属-強誘電体-半導体構造トランジスタである強誘電体トランジスタと、スイッチングトランジスタとからなり、該二つのトランジスタのソース電極とドレイン電極とが接続されてなるメモリセルがマトリックス状に配列されたメモリアレイを有することを特徴とする半導体記憶素子。
引用特許：
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