特許
J-GLOBAL ID：200903047642672667
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239875
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089896
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：
【要約】【目的】 多層配線の形成方法に関し,配線膜のパターニング後の後処理工程をなくし,且つ配線の腐食を防止することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に形成された下層配線2を覆って層間絶縁膜3を被着し,該層間絶縁膜表面に上層配線パターンの凹部を形成する工程と,該層間絶縁膜の該凹部内に上層配線と下層配線を接続するコンタクトホールを形成する工程と,該凹部および該コンタクトホールを埋め込んでアルミニウム(Al)合金からなる配線金属膜6を該半導体基板上全面に被着し,該層間絶縁膜上の該配線金属膜を除去し,該層間絶縁膜内に該配線金属膜を残して上層配線61を形成する工程とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1) 上に形成された下層配線(2) を覆って層間絶縁膜(3)を被着し,該層間絶縁膜表面に上層配線パターンの凹部を形成する工程と,該層間絶縁膜の該凹部内に上層配線と下層配線を接続するコンタクトホールを形成する工程と,該凹部および該コンタクトホールを埋め込んでアルミニウム(Al)合金からなる配線金属膜(6) を該半導体基板上全面に被着し,該層間絶縁膜上の該配線金属膜を除去し,該層間絶縁膜内に該配線金属膜を残して上層配線(61)を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
