特許

J-GLOBAL ID：200903047647655701

半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者： 尾崎 貴志 ,  湯浅 和宏 ,  前田 喜世彦
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004012214
公開番号（公開出願番号）：WO2005-020309
出願日： 2004年08月25日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

本発明の半導体装置の製造方法は、複数枚の基板1を処理室4内に搬入する工程と、処理室4内に搬入された複数枚の基板1よりも上流側から酸素含有ガスを供給する工程と、処理室4内に搬入された複数枚の基板1が存在する領域に対応する途中の少なくとも1箇所から水素含有ガスを供給する工程と、処理室4内で酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて複数枚の基板1を酸化する工程と、処理後の基板1を処理室4より搬出する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

複数枚の基板を処理室内に搬入する工程と、 前記処理室内に搬入された前記複数枚の基板よりも上流側から酸素含有ガスを供給する工程と、 前記処理室内に搬入された前記複数枚の基板が存在する領域に対応する途中の少なくとも1箇所から水素含有ガスを供給する工程と、 前記処理室内で前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて前記複数枚の基板を酸化する工程と、 処理後の前記基板を前記処理室より搬出する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L21/31 E ,  H01L21/76 L

Fターム (28件)：

5F032AA34 ,  5F032AA45 ,  5F032AA47 ,  5F032AA69 ,  5F032AA70 ,  5F032DA53 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB02 ,  5F045CA05 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EK06