特許

J-GLOBAL ID：200903047650582570

光学素子への成膜方法

発明者： 酒井 啓太
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258608
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 反射防止膜の成膜位置を制御する。【解決手段】(l)に示すようにバイナリオプティクス素子31a上に反射防止膜34aを成膜し、(m)に示すようにレジストパターン33cを剥離することにより、レジストパターン33cが成膜されていなかった領域に、反射防止膜パターン35aを形成する。続いて、(n)に示すようにフォトレジスト32dを塗布し、(o)に示すようにフォトレジスト32dの露光、現像を行うことにより、反射防止膜パターン35a上にレジストパターン33dを形成する。更に、(p)に示すように反射防止膜34bを成膜し、(q)に示すようにレジストパターン33dを剥離し、反射防止膜パターン35bを形成することにより、バイナリオプティクス素子31aの全ての段差上に反射防止膜パターン35を成膜する。

請求項（抜粋）：

階段状の構造を有する回折光学素子基板の階段上に選択的にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを形成した前記基板上に反射防止膜又は増反射膜を成膜する工程と、前記レジストパターンをレジスト上の反射防止膜又は増反射膜ごと剥離する工程とを含む成膜工程を1回又は複数回行うことにより、前記基板の階段上に反射防止膜又は増反射膜を成膜することを特徴とする光学素子への成膜方法。

IPC (3件)：

G02B 1/11 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/18

FI (3件)：

G02B 1/10 A ,  G02B 5/18 ,  G02B 1/10 Z

Fターム (12件)：

2H049AA03 ,  2H049AA37 ,  2H049AA44 ,  2H049AA55 ,  2H049AA63 ,  2K009AA02 ,  2K009BB04 ,  2K009CC03 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD17 ,  2K009FF01