特許

J-GLOBAL ID：200903047651667420

炭化ケイ素基接合部品とその製造方法

発明者： 須山 章子 ,  亀田 常治 ,  伊藤 義康
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-188954
公開番号（公開出願番号）：特開2005-022905
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】SiC基反応焼結体からなる複数の部品ユニットを、反応焼結を利用した接合層を適用して接合するにあたって、反応焼結接合層の微構造などを制御することで、強度や耐久性などを向上させる。【解決手段】SiC基反応焼結体からなる複数の部品ユニット2、3を、反応焼結接合層4を介して接合してなるSiC基接合部品1である。反応焼結接合層4は、平均結晶粒径が0.1〜30μmの範囲のSiC結晶粒(反応焼結SiC)と、このSiC結晶粒の隙間にネットワーク状に連続して存在する遊離Si相とから主として構成されており、この反応焼結接合層4の微構造に基づいて、高強度接合部品を再現性よく得ることが可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素基反応焼結体からなる複数の部品ユニットを、接合層を介して接合してなる炭化ケイ素基接合部品において、 前記接合層は、平均結晶粒径が0.1〜30μmの範囲の炭化ケイ素結晶粒と、前記炭化ケイ素結晶粒の隙間にネットワーク状に連続して存在するシリコン相とから主として構成されていることを特徴とする炭化ケイ素基接合部品。

IPC (1件)：

C04B37/00

FI (1件)：

C04B37/00 Z

Fターム (8件)：

4G026BA14 ,  4G026BB14 ,  4G026BD14 ,  4G026BF01 ,  4G026BF09 ,  4G026BF41 ,  4G026BG04 ,  4G026BG26

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-064063
  
• 特開昭59-195586
  
• 特開平3-112871
  
• 特開昭60-122774
  

審査官引用 (10件)

• 特開平2-064063
  
• 特開平2-064063
  
• 特開平3-112871
  
• 特開昭59-195586
  
• 特開昭59-195586
  
• 特開昭60-122774
  
• 特開平2-064063
  
• 特開昭59-195586
  
• 特開平3-112871
  
• 特開昭60-122774