特許
J-GLOBAL ID：200903047652359770
半導体圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-289629
公開番号（公開出願番号）：特開平7-140027
出願日： 1993年11月18日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 耐圧を向上させるとともに、製造工程における歩留まりを向上させ得る半導体圧力センサを提供する。【構成】 シリコン基板12の中央部において、該シリコン基板12の裏面側に凹部14が形成されるとともに、中央部に突条部16を残しその両側方の表面側に矩形状の凹部17が形成されることにより薄肉化されたダイアフラム部10が形成され、前記突条部16の表面に圧力を検知するための複数のピエゾ抵抗11a、11b、...が形成されている。そして、ダイアフラム部10の表面側に形成された矩形状の凹部17の各角部18には応力集中を緩和するための丸みがつけられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の中央部において該半導体基板の裏面側に開口する矩形状の凹部が形成されるとともに、該凹部の上方にあたる基板部分の中央部に該基板部分を横断する突条部を残し、その両側方に表面側に開口する矩形状の凹部が形成されたダイアフラム部が形成され、該ダイアフラム部内の前記突条部の表面に圧力を検知するための複数のピエゾ抵抗が形成された半導体圧力センサにおいて、前記ダイアフラム部に形成された矩形状の凹部は、その各角部が丸みの付いた形状とされたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
