特許

J-GLOBAL ID：200903047654711129

半導体装置の製造方法

発明者： 木村 直人
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140714
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326236
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 合成樹脂封止に伴う半導体装置の反りを防止する。【解決手段】 合成樹脂から成るチップ基板2上に、相互に間隔をおいて複数の半導体チップ4を接着固定し、少なくとも各半導体チップ4の周辺におけるチップ基板2上に、加熱して流動状態の合成樹脂18を充填し、充填した合成樹脂18が冷却により硬化した後、隣接する半導体チップ4の間で合成樹脂18およびチップ基板2を切断して、個々の半導体装置20を得る。その際、半導体チップ4が固定されている箇所を除くチップ基板2上の領域に、熱膨張率が小さいか、または負値であるアンバの板体12を、あらかじめ延在させてチップ基板2に接着固定しておく。硬化後の合成樹脂18およびチップ基板2を切断する際は、個々の半導体装置20に板体12が含まれないように切断する。

請求項（抜粋）：

合成樹脂から成るチップ基板上に、相互に間隔をおいて複数の半導体チップを接着固定し、少なくとも前記半導体チップの周辺の前記チップ基板上に、加熱して流動状態の前記合成樹脂を充填し、充填した前記合成樹脂が冷却により硬化した後、隣接する前記半導体チップの間で前記合成樹脂および前記チップ基板を切断して、それぞれが少なくとも1つの前記半導体チップを含む個々の半導体装置を得る半導体装置の製造方法であって、あらかじめ前記半導体チップの固定箇所を除く前記チップ基板上に、熱膨張率が小さいか、または負値である金属材料の板体を延在させて前記チップ基板に接着固定した上で、前記合成樹脂を充填し、硬化した前記合成樹脂および前記チップ基板を切断する際は、個々の前記半導体装置に前記板体が含まれないように切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 23/12 W

Fターム (8件)：

4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109DB16 ,  4M109EE20 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13