特許

J-GLOBAL ID：200903047668301640

多結晶半導体膜の製造方法

発明者： 河内 玄士朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-105711
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299237
出願日： 2001年04月04日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 粒径が大きくかつ均一な多結晶半導体層を得る。【解決手段】 基板の表面に非晶質半導体層を形成し、レーザアニールすることによって該非晶質半導体層を多結晶半導体層に改質する工程からなり、前記レーザアニールの際に、該非晶質半導体層の周囲に加熱された雰囲気を形成する。

請求項（抜粋）：

基板の表面に非晶質半導体層を形成し、レーザアニールすることによって該非晶質半導体層を多結晶半導体層に改質する工程からなり、前記レーザアニールの際に、該非晶質半導体層の周囲に加熱された雰囲気を形成することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (41件)：

2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA26 ,  2H092JA44 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  2H092PA01 ,  2H092PA12 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA13 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD14 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HL07 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP13 ,  5F110PP40