特許

J-GLOBAL ID：200903047668310062

変換器

発明者： ボグダン・エム・シミオン ,  インジャン・チェン ,  マーク・エス・ミラー
出願人/特許権者： リード-ライト コーポレーション
代理人 (1件)： 梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200356
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026420
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】【解決手段】 磁気抵抗(MR)センサのためのバイアス層は、MR層に縦方向バイアスを与えるための面内磁化容易軸を有する。バイアス層はコバルト(Co)を含み、そのCoのC軸の平面内整合を促進する結晶構造を有する様々な下地層上に形成される。好ましい下側層としては、ニッケル-アルミニウム(NiAl)及び酸化マグネシウム(MgO)が挙げられ、クロム(Cr)を含む中間層をバイアス層と下地層との間に挟装してもよい。

請求項（抜粋）：

磁界を感知するための変換器であって、第1の端部及び第2の端部を両端とする、実質的に平行な複数の隣接する層を有する磁気抵抗デバイスと、前記端部の少なくとも一方に隣接する結晶性材料を含み、かつその表面がコバルトのC軸の格子定数の実質的に一致する格子定数を有するシード層と、前記シード層の上に配置されて前記端部に接し、前記界面と実質的に平行な磁化容易軸を有する、コバルトを含む磁性層とを備えることを特徴とする変換器。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/30

FI (7件)：

H01L 43/08 B ,  H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/30

Fターム (17件)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034BA21 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049CB06 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5E049DB20